| SÍNTESIS DE ÓXIDOS CONDUCTORES TRANSPARENTES DE ÓXIDO DE ZINC DOPADO CON ALUMINIO POR COPRECIPITACIÓN QUÍMICA TRANSPARENT CONDUCTING OXIDE SYNTHESIS OF ALUMINIUM DOPED ZINC OXIDES BY CHEMICAL COPRECIPITATIONS Silvia Maioco1, Claudia Vera1, Natan Rajchenberg1, Ricardo Aragón1,2 (1) Universidad de Buenos Aires, Facultad de Ingeniería, Laboratorio de Películas Delgadas, Paseo Colón 850, (1063) Ciudad Autónoma de Buenos Aires – Argentina (2) CINSO-CONICET-CITEDEF-UNSAM, Juan Bautista de La Salle 4397, (B1603ALO) Villa Martelli, Buenos Aires – Argentina Resumen Los óxidos de zinc dopados con Al (AZO) son promisorios reemplazantes de los óxidos de indio dopados con Sn (ITO) pero sus películas delgadas muestran un amplio rango de propiedades fuertemente dependientes de las condiciones del proceso de deposición. Se examinan cerámicos de granulometría submicrométrica de óxido de zinc dopado con 1% de aluminio, preparados por coprecipitación en solución acuosa, a partir de Zn(NO3)2 y Al(NO3)3, sinterizados a 1200°C y subsecuentemente templados en atmósfera controlada de 10-16 atm de oxígeno, a 1000°C. La resistividad eléctrica disminuye en dos órdenes de magnitud en las primeras dos horas de templado y el coeficiente Seebeck cambia de -140 a -50 µV/K gradualmente en 8 h. Se concluye que el aumento de la movilidad domina sobre el de densidad de portadores, inducido por cambios de la estequiometria metal oxígeno. Abstract Aluminium doped zinc oxides (AZO) are promising replacements for tin doped indium oxides (ITO) but thin films show a wide range of physical properties strongly dependent on deposition process conditions. Submicrometric 1% aluminum doped zinc oxide ceramics (AZO) are examined, prepared by coprecipitation, from Zn(NO3)2 and Al(NO3)3 aqueous solutions, sintered at 1200°C and subsequently annealed in 10-16 atm controlled oxygen fugacity atmospheres, at 1000°C. Electrical resistivity diminishes by two orders of magnitude after two hours of annealing and the Seebeck coefficient gradually changes from -140 to -50 µV/K within 8 h. It is concluded that increased mobility is dominant over the increased carrier density, induced by changes in metal-oxygen stoichiometry. Palabras clave: óxidos conductores transparentes; óxido de zinc dopado con Al; vacancias; coeficiente Seebeck Keywords: transparent conductives oxides; aluminun doped zinc oxide; vacancies; Seebeck coefficient |